ECD檢測(cè)器檢測(cè)條件的選擇

      通常認(rèn)為電子俘獲檢測(cè)器較難操作，但如果掌握了各種檢測(cè)條件對(duì)ECD性能的影響，應(yīng)該是不難的。影響ECD線性和線性范圍的因素較多復(fù)雜不易掌握，重點(diǎn)控制影響ECD響應(yīng)值的因素：載氣種類、純度和流速、色譜柱和柱溫、檢測(cè)器溫度、電源操作參數(shù)等。
 
一、載氣種類、純度和流速
1.種類
    N2、Ar、He、H2均可作ECD的載氣。N2和Ar作為氣相色譜儀的載氣時(shí)之基流和靈敏度均高于He、H2，故填充色譜柱時(shí)通常用N2或Ar/CH4，而不用He或H2。在同軸圓筒型恒電流方式ECD上，測(cè)定了不同載氣組成和不同參比電流時(shí)，艾氏劑的靈敏度。（見(jiàn)圖1）參數(shù)P為參比電流和最大參比電流之比。由圖可見(jiàn)，在各參比電流下，均是Ar/5%CH4載氣的絕對(duì)靈敏度最高，純Ar載氣次之，N2載氣最低。至P值接近1時(shí)，三者靈敏度均急劇提高，而線性范圍下降。N2載氣的線性范圍亦小于Ar/CH4。因N2價(jià)廉，又易與其他氣相色譜檢測(cè)器配合；對(duì)位移同軸圓筒型ECD，N2載氣也可得到較高的靈敏度。所以常用N2作載氣。

    當(dāng)用毛細(xì)管柱，過(guò)柱載氣流速很小（5mL/min）或需作快速分析時(shí)，可用He、H2作載氣，尾吹用N2或Ar/CH4氣。這時(shí)ECD的靈敏度取決于尾吹氣的流速，但需注意，純He同純Ar一樣，也易被激發(fā)成亞穩(wěn)態(tài)，產(chǎn)生異常響應(yīng)。故用He作載氣時(shí)，同樣要加入甲烷作猝滅劑，組成He/CH4混合氣使用。

2.純度
    載氣純度直接影響ECD的基流或基頻。下圖2為載氣純度對(duì)基流的影響。為保證ECD池的潔凈，降低雜質(zhì)俘獲池中的自由電子，一般要求載氣純度在99.99%以上，還要外加凈化器，以除去殘留的氧和水。氧具有強(qiáng)烈的吸電子性，使基流下降。

3.流速
    載氣和尾吹氣流速調(diào)節(jié)的目的和意義是不同的。前者主要從組分分離要求確定，通常填充柱20～50mL/min，毛細(xì)管柱為0.1～10/mL/min。后者在ECD中有三個(gè)作用。
（1）為保持毛細(xì)管柱達(dá)一定的柱效，需加尾吹氣，以減小譜帶柱后變寬。表3-6-11為n＝3000m-1，tR＝5min時(shí)，不同檢測(cè)器體積和不同氣體流速時(shí)，譜帶變寬的百分?jǐn)?shù)（θ）。可以看出：同一色基流的影響譜柱，其后接的ECD池體積越大，為達(dá)相同柱效所需尾吹氣流速越大。


（2）保持ECD達(dá)飽和基流I0（恒頻率）或穩(wěn)定基頻ƒ0（恒電流）。因I0隨通過(guò)檢測(cè)器氣體流速增加而增大，ƒ0即隨流速增加而減小，且兩者均至一定值后達(dá)穩(wěn)定，見(jiàn)圖3-6-13。
（3）由于ECD是濃度型檢測(cè)器，峰面積反比于通過(guò)檢測(cè)器的氣體流速。但ECD的峰高不同于典型的濃度型TCD。它隨氣體流速的增加而增大至最大值后，又隨流速增加而下降。所以，在柱流速固定后，可通過(guò)調(diào)節(jié)尾吹氣流速，使達(dá)最大響應(yīng)。

總之，通過(guò)ECD池的氣體流速對(duì)其性能的影響是復(fù)雜的，通常要對(duì)色譜柱的柱效、基流（或基頻）和靈敏度三者兼顧，取一適中流速。不同型號(hào)儀器說(shuō)明書(shū)中均有過(guò)ECD的最佳流速，可參照該推薦值，增、減約2%～4%的流速，以達(dá)到峰形變寬最小，靈敏度最高為最佳。對(duì)某些ECD有時(shí)僅變動(dòng)1～2mL/min，即可達(dá)目的。在恒電流方式中，線性范圍隨氣體流速增加而略有增大。

二、色譜柱和柱溫
    色譜柱和柱溫的選擇原則是：既要保證各組分完全分離，又要保持ECD池潔凈，不受柱固定相污染。為此，應(yīng)盡量選用低配比的耐高溫或交聯(lián)固定相；柱溫盡量偏低。這樣，在相同的柱溫下，柱流失的絕對(duì)量比高配比、未交聯(lián)固定相要少得多。同時(shí)，低配比柱達(dá)到相同分離度所需的柱溫可降低，固定相流失又可進(jìn)一步減少。
    盡量不要選用含多鹵原子的固定相，如甲基三氟丙基聚硅氧烷（QF-1,OV-210）、聚三氟氯乙烯蠟（KelFwax）等。切忌用聚四氟乙烯管作連接管或色譜柱，它們均能使基流嚴(yán)重下降。通常要求接ECD的色譜柱，其最高使用溫度比接其他氣相色譜檢測(cè)器要低50～140℃。在程序升溫過(guò)程中，柱溫的變化對(duì)ECD的靈敏度和基線應(yīng)無(wú)明顯影響，但可能由于柱溫的變化引起載氣流速的改變，產(chǎn)生較小的基線飄移。

三、檢測(cè)器溫度
    由于ECD的響應(yīng)明顯受檢測(cè)器溫度的影響，因此，檢測(cè)器的溫度波動(dòng)必須精密控制小于±（0.1～0.3）℃，以保證響應(yīng)值的測(cè)量精度在1%以內(nèi)。另外，在比較同一化合物的響應(yīng)值或最小檢出量時(shí)，注意溫度應(yīng)相同。不標(biāo)明溫度的比較是欠妥的。


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