因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。
KRI 考夫曼離子源典型應(yīng)用 IBF 離子束拋光工藝
離子束拋光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐漸成為光學(xué)零件表面超精加工常用的最后一道工藝, 離子源是離子束拋光機(jī)的核心部件. 上海伯東美國 KRI 直流電源式考夫曼離子源 KDC 系列成功應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī) IBF Optical coating 及晶體硅片離子束拋光機(jī) IBF Clrystalline )工藝.
考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光后的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)更符合離子源于離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行. 上海伯東是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源離子束拋光實(shí)際案例一:
1. 基材: 100 mm 光學(xué)鏡片
2. 離子源條件: Vb: 800 V ( 離子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 離子束電流 ) , Va: -160 V ( 離子束加速電壓 ), Ar gas ( 氬氣 ).
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
KRI 離子源離子束拋光實(shí)際案例二:
1. 基材: 300 mm 晶體硅片
2. 離子源條件: Vb: 1000 V ( 離子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 離子束電流 ), Va: -200 V ( 離子束加速電壓 ) Ar gas ( 氬氣 )
離子束拋光前平坦度影像呈現(xiàn)圖 | 離子束拋光后平坦度影像呈現(xiàn)圖 |
KRI 離子源實(shí)際安裝案例一: KDC 10 使用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)
KRI 離子源實(shí)際安裝案例二: KDC 40 使用于晶體硅片離子束拋光機(jī)
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根據(jù)客戶離子拋光工藝條件提供如下型號(hào):
型號(hào) | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
電壓 | DC magnetic confinement | ||||
- 陰極燈絲 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC | ||||
電子束 | 電子束 | ||||
- 柵極 | 專用,自對(duì)準(zhǔn) | ||||
- 柵極直徑 | 1 cm | 4 cm | 7.5 cm | 12 cm | 16 cm |
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