K650X三靶大樣品室濺射鍍膜儀

K650X具有三個磁控管，可對大樣品進行鍍膜，樣品臺可旋轉(zhuǎn)， 保證均勻沉積。這種方法可利用標準靶面，不需要特別的大靶面。 這種三頭靶面系統(tǒng)特別適用于半導體晶片工業(yè)。 本系統(tǒng)磁電管靶使用低電壓，提高了效率，并且能得到非常精細 的顆粒，由于是冷濺射，所以無需冷卻靶面或樣品臺。 儀器裝有60mm直徑、0.1mm厚的金靶（或用戶選擇），提供最 適合的性能價格比。 功能集中在儀器面板上及即插即用電子學設計，最大的“up-time”， 這些用戶友好設計滿足了不同學科的用戶需求。 濺射參數(shù)可被預先設置，包括氣體放氣針閥，此閥為電磁閥，具有自動控制，可精確及重復膜厚沉積。 濺射頭互鎖，系統(tǒng)可容易選配K250鍍碳附件。本儀器為全自動操作，可控制獨立的真空泵。 K650T Turbo Unit與上面相同，但具有渦輪分子泵，抽速60升/秒具有更高及清潔的真空。 特點 ● 三個靶面濺射系統(tǒng) ● 全自動控制 ● 低電壓濺射 ● 高分辨率精細涂層(金顆粒可達2 nm) ● 具有傾斜裝置的特殊旋轉(zhuǎn)臺 ● 均勻厚度沉積(掃描電鏡一般厚度為 20nm 或200埃) ● 225 mm腔室直徑 ● 可接膜厚監(jiān)視器，實時監(jiān)視鍍層厚度 優(yōu)點 ● 適合大樣品，如晶圓 ● 易操作 ● 無需冷卻樣品臺 ● 精確的再次涂層 ● 適合各種樣品 ● 膜厚度重復性好 ● 容易裝載或卸載大樣品―最大到6英寸晶圓 ● 可預設沉積厚度 技術規(guī)格 儀器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H 重量：24公斤 工作腔室：硼硅酸鹽玻璃 225mm Dia x 125mm H 基座： 110 mm直徑x 115mm高 安全鐘罩：聚碳酸酯 靶：3 x 60 mm 直徑 x 0.1mm 厚(金作為標準靶材) 旋轉(zhuǎn)臺：直徑為155 mm，可調(diào)節(jié) 樣品臺：距離靶面40到50 mm 真空范圍：ATM-1x10-2 mbar 濺射電流：0-100mA 沉積速率：0-20nm/分 濺射定時： 0-4 分鐘 預設置針閥：控制氬 電源：230 伏 50Hz (8 amp max. including Pump)