上海伯東 KRI 霍爾離子源 eH 1000

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上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 1000 高效氣體利用, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”

放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:

? 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極

? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便; 無需水冷

? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術(shù)參數(shù):

KRI 霍爾離子源 eH 1000 應(yīng)用領(lǐng)域:

? 離子輔助鍍膜 IAD

? 預(yù)清洗 Load lock preclean

? 預(yù)清洗 In-situ preclean

? Direct Deposition

? Surface Modification

? Low-energy etching

? III-V Semiconductors

? Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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