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公司基本資料信息
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上海伯東日本原裝進(jìn)口適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 配置使用美國(guó) KRI Φ20cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺(tái): 直接冷卻(水冷), 0~90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等加工形狀.
主要優(yōu)點(diǎn):
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國(guó)考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程.
技術(shù)參數(shù)
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 |
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樣品臺(tái) |
直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
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